MRAM появится через несколько лет

Специалисты Infineon Tecnologies и IBM изготовили действующий прототип микросхемы магнитной оперативной памяти (MRAM) емкостью 16 мегабит. Напомним, MRAM способна сохранять информацию в течение длительного времени, не требуя электроэнергии. Технология рассматривается, как возможный кандидат на замену флэш-памяти. В дальнейшем, возможно, MRAM также получит применение вместо энергозависимой оперативной памяти, поскольку отличается более высоким быстродействием. Если удастся добиться достаточно высокого коэффициента выхода (доли работоспособных микросхем в расчете на основу), то магнитная память также будет дешевле в производстве, чем флэш-память, поскольку в отличие от нее может выпускаться по стандартной технологии изготовления КМОП-микросхем. Согласно совместному заявлению IBM и Infineon, начало коммерческого производства MRAM возможно в течение ближайших нескольких лет.