Samsung развернула массовый выпуск XDR DRAM емкостью 256 Mb

Samsung Electronics 25 января сообщила о начале массового выпуска 256-мегабитовых микросхем быстродействующей памяти нового поколения XDR (eXtreme Data Rate) DRAM.

Данные устройства предназначены для приложений, требующих обработки высококачественного видео - игровых приставок, цифровых телевизоров, серверов и рабочих станций.

В чипах 256Mb XDR используется технология Octal Data Rate, которая обеспечивает считывание 8 бит данных за один такт. При этом производительность памяти достигает 8 GBps - в 10 раз больше, чем у DDR 400 и в пять, чем у RDRAM (PC800). Стабильность процесса передачи на больших скоростях поддерживается с применением технологии DRSL (Differential Rambus Signal Level).

Кроме того, Samsung анонсировала планы в течение первой половины 2005 г. выпустить микросхемы XDR DRAM емкостью 512 Mb, способные поддерживать скорость обмена данными до 12,8 GBps.

Аналитическая фирма IDC прогнозирует, что рыночный сегмент XDR DRAM, начиная с этого года будет непрерывно расти и к 2009 г. объем глобальных поставок превысит 800 млн чипов (в пересчете на емкость 256 Mb).