В Корее представили сверхскоростной чип памяти MRAM

Министерство науки и технологий Кореи объявило о том, что группой исследователей под руководством профессора Ким Бонг-су из института KAIST была разработана новая технология под названием MRAM (magnetic RAM), которая будет использоваться для изготовления чипов памяти нового поколения, сообщает Nano Letters.

MRAM намного превосходит способности современных чипов, поскольку такой чип обладает большим объемом памяти и способен обрабатывать данные в сотни-тысячи раз быстрее, чем существующие полупроводники.

«Мы впервые доказали, что соединение кобальта и кремния, которое не обладает естественными магнитными свойствами, можно заставить проявлять магнитные свойства, если сделать из него линии микроскопического размера», - говорит профессор Ким Бонг-су. Выстроив линии соответствующим образом, исследователи смогли получить трехмерный модуль MRAM. Таким образом, чипы следующего поколения будут считывать цифровую информацию (единицы и нули), используя магнитные свойства.