Toshiba ускорит работу флэш-памяти

Инженеры компании Toshiba работают над тем, чтобы вдвое повысить скорость чтения и записи, обеспечиваемую микросхемами флэш-памяти НЕ-И. По словам представителей компании, появление более быстрых микросхем возможно в будущем году. Память НЕ-И широко применяется в качестве носителя в цифровых фотокамерах, аудиоплеерах и других устройствах потребительской электроники. Чипы, предлагаемые Toshiba сейчас, обеспечивают скорость записи и чтения до 6 Мбайт/с. Большая их часть выпускается компанией по технологии 90 нм, а в будущем году планируется перейти на техпроцесс 52 нм. Емкость первых "ускоренных" микросхем Toshiba составит 2 Гбайт. По данным Gartner, в прошлом году компания занимала второе место в мире по объему продаж флэш-памяти после Samsung.