Intel предлагает замену DRAM

Как ожидается, директор по технологиям Intel Джастин Рэттнер на конференции Intel Developer Forum, которая откроется во вторник в Пекине, проведет демонстрацию технологии энергонезависимой оперативной памяти, действующей по принципу смены фазового состояния - PRAM (Phase-Change RAM). Кроме Intel память этого типа разрабатывается еще рядом компаний. Считается, что она может стать заменой флэш-памяти и, возможно, DRAM. По словам Рэттнера, начать производство памяти нового типа в Intel собираются во второй половине года. В ячейках микросхем PRAM используется халькогенидное стекло, которое меняет свое состояние между аморфным и кристаллическим под действием нагревания. В каждом из состояний это вещество характеризуется разным электрическим сопротивлением - одному из них соответствует значение "1", другому - "0". PRAM обещает обеспечить более высокую скорость считывания и записи, чем флэш-память, и большую долговечность.