Технология AMD и IBM позволит повысить быстродействие транзисторов в чипах на 24%

AMD и IBM сообщили о создании новой технологии изготовления полупроводниковых компонентов -- Dual Stress Liner, которая, по их утверждению, позволит добиться 24-процентного увеличения скорости работы транзисторов.

Речь идет об использовании напряженного кремния, однако особенность Dual Stress Liner заключается в том, что он может применяться в транзисторах обоих типов -- p и n. Кроме того, AMD и IBM впервые внедрили его в комбинации с технологией SOI (silicon-on-insulator).

По заявлению представителей компаний, с помощью нового процесса будут изготовляться двухъядерные чипы AMD (их анонс намечен на первую половину следующего года), а также различные процессорные платформы на базе архитектуры POWER.