MorePC - Главная страница


О сайте

Регистрация

Обратная связь

Реклама на сайте

Публикации на сайте

Карикатуры

  Категории СВТ     Тесты и методики испытаний     Новости СВТ     Проблемы информатизации     Форум     Опросы     Словарь     Поиск  

     Процессоры : Новости раздела  

 
Предлагаем Вашему вниманию статьи по информационной безопасности.

Для освоения 7 нм и более тонких техпроцессов понадобится замена кремнию

03.03.2015


Мировые производители микроэлектроники при совершенствовании техпроцесса изготовления кристаллов все чаще сталкиваются с физическими ограничениями основного материала, используемого для выращивания чипов. Компании уже давно заняты поиском альтернатив кремнию и, по всей видимости, близки к тому, чтобы перейти на новый тип полупроводников.

Даже компании Intel, имеющей наиболее прогрессивную платформу для освоения новых техпроцессов, при подготовке к переходу на очередную ступень приходится переносить сроки запуска продуктов. Сложности возникли уже на этапе 14 нм. Использование 10-нанометрового техпроцесса предположительно начнется не ранее 2017 года. Следующий этап миниатюризации – 7 нм. При уменьшении элементов и расстояния между ними производителям все сложнее получить устойчивые состояния транзисторов (открыт/закрыт) без которого невозможно использовать бинарную логику. Приближаясь к единицам нанометров, сказываются физические ограничения кремния, которые уже нельзя преодолеть, даже используя трехмерную структуру и другие технологические «присадки». Потому уже для 7-нанометрового техпроцесса и последующих итераций потребуется использование других материалов или их комбинации. Без этого шага действие закона Мура, который актуален вот уже полстолетия, может утратить свою силу.


Учитывая время, в течение которого разработчики пытаются найти альтернативу кремнию, на сегодня есть целый ряд потенциальных «заменителей», однако они пока все они не идеальны. Перспективные силицен и германий имеют свойство быстрой деградации, которое пока не удается преодолеть ученым. Графен не подходит для всех типов транзисторов, при этом его очень сложно использовать при производстве интегральных схем из-за очень хрупкой структуры.


В краткосрочной перспективе реальной альтернативой кремнию может стать комбинация из нескольких элементов на основе арсенида индия-галия (InGaAs) и фосфида индия (InP). Судя по всему, такая связка не имеет существенных недостатков. Научно-исследовательскому центру Imec, эксперименты которого финансируются такими компаниями как Intel, TSMC, GlobalFoundries, Samsung, Micron и SK Hynix, уже удалось получить 300-миллиметровую пластину с FinFET-транзисторами на основе InGaAs и InP в рамках 22-нанометрового техпроцесса. Полученные результаты позволяют говорить о том, что подобная связка имеет хорошие перспективы. Новые материалы позволяют уменьшить размеры транзисторов, а также увеличить скорость переключения состояний. Важным аргументом в пользу связки InGaAs и InP также является то, что при изготовлении кристаллов компаниям не понадобится кардинально перестраивать имеющуюся производственную базу, можно использовать текущее оборудование. Конечно, использование новых материалов потребует определенных затрат, прежде чем удастся получить приемлемую для массового производства себестоимость изготовления чипов.

Переход на 7-нанометровый техпроцесс ожидается не ранее 2020 года и уже очевидно, что при производстве чипов по этой технологии ключевые элементы будут изготовлены точно не из кремния.

Источник: itc.ua




вверх
  Copyright by MorePC - обзоры, характеристики, рейтинги мониторов, принтеров, ноутбуков, сканеров и др. info@morepc.ru  
разработка, поддержка сайта -Global Arts