45 нм не предел!

Компания Toshiba представила новую технологию визуализации движения электронов и примесей в полупроводниках, позволяющую провести анализ пути распространения зарядов с точностью до 1 нм. Это стало возможным благодаря сканирующей микроскопии сопротивления растекания (SSRM) и, как утверждают в компании, является существенным шагом на пути к созданию чипов по техпроцессу 45 нм и ниже. Сканирующая микроскопия сопротивления растекания - это новая технология двумерного картографирования сопротивлений на перекрестных поверхностях, позволяющая анализировать распределение электронов и примесей. Высокая точность, необходимая для создания чипов выполненных по техпроцессу 45 нм, требуется для анализа плотности электронов в канале и возможности контроля за примесями с точностью 1 нм, так как даже незначительные различия в характеристиках могут привести к увеличению уровня токов утечки и риску короткого замыкания. Технология SSRM использует сканирующий зонд для двумерной визуализации траектории заряда в полупроводниковых устройствах. Полученные изображения показывают вариации в сопротивлении, вызванные примесями, и позволяют произвести анализ путей распространения заряда.