Dual Stress Liner (DSL) |
- технология сжатия-растягивания, технология двойной деформации атомной решетки |
Компании AMD и IBM в рамках действующего между ними договора о сотрудничестве разработали два новых метода деформации атомной решетки кремния, направленной на повышение скорости перемещения электронов и, соответственно, быстроты переключения транзисторов. Транзисторам p-типа для этого требуется "сжатие", транзисторам n-типа - "растягивание". Новые методы позволяют повысить эффективность разработанной в IBM технологии Dual Stress Liner, которая обеспечивает возможность улучшения производительности транзисторов сразу обоих типов. Первый метод, рассчитанный на транзисторы n-типа, предусматривает помещение на них тонкой пленки нитрида кремния и последующего ее удаления; при этом результирующая "растянутость" атомной решетки кремния сохраняется. Второй метод заключается в размещении вдоль затвора транзисторов p-типа кремний-германиевого сплава, обеспечивающего его сжатие. После этих двух методов применяется Dual Stress Liner (последовательное наложение на кристалл деформирующих веществ двух разных видов и избирательное удаление их с транзисторов соответствующих типов). Как заявляют в AMD, по сравнению с последним поколением ее процессоров, 65-нанометровые чипы, изготовленные с использованием всех трех методов (включая DSL), будут иметь на 20% более высокую производительность.
Синонимы:
Если Вы считаете, что в описании термина "Dual Stress Liner (DSL)" есть ошибка, пожалуйста, сообщите нам. |
