BDT (ballistic deflection transistor) |
- транзистор с баллистическим отклонением |
В транзисторе с баллистическим отклонением (ballistic deflection transistor, BDT) отдельный электрон пропускается через поляризованный затвор и отражается от клиновидного препятствия. Электрическое поле затвора отклоняет электрон к одной или другой стороне канала так, что он отталкивается от правой или от левой грани клина и отражается вправо или влево, что соответствует логическому нулю или логической единице (подробно схему работы технологии можно посмотреть на сайте www.Physorg.com).
Синонимы:
Если Вы считаете, что в описании термина "BDT (ballistic deflection transistor)" есть ошибка, пожалуйста, сообщите нам. |